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BAT54HYT116

Low VF Schottky barrier diodes for Low Current Rectifier Applications

  • 齐纳电压Vz:
  • 封装/外壳:SOT-23-3
  • 反向击穿电压Vbr:-
  • 功率:-
  • 反向电压Vr:800 mV @ 100 mA
  • 正向电压Vr:30 V
  • 正向电流If:200mA(DC)
  • 波长:
  • 钳位电压Vc:
  • 反向工作电压Vrwm:
  • 工作温度:
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