Low VF Schottky barrier diodes for Low Current Rectifier Applications

• 齐纳电压Vz：
• 封装/外壳：SOT-23-3
• 反向击穿电压Vbr：-
• 功率：-
• 反向电压Vr：800 mV @ 100 mA
• 正向电压Vr：30 V
• 正向电流If：200mA(DC)
• 波长：
• 钳位电压Vc：
• 反向工作电压Vrwm：
• 工作温度：