封装/外壳：DO-219AB 齐纳电压Vz：33V 齐纳阻抗Zzt：15 Ohms 功率：800mW 工作温度：-65℃~175℃

• 齐纳电压Vz：
• 封装/外壳：DO-219AB
• 反向击穿电压Vbr：-
• 功率：1uA @ 24V
• 反向电压Vr：15 Ohms
• 正向电压Vr：33V
• 正向电流If：800mW
• 波长：-65℃~175℃
• 钳位电压Vc：
• 反向工作电压Vrwm：
• 工作温度：