封装/外壳：DO-41 反向漏电流Ir：500nA @ 9.1V 功率：1.3W 容差：±5% 工作温度：175℃

• 齐纳电压Vz：
• 封装/外壳：DO-41
• 反向击穿电压Vbr：±5%
• 功率：500nA @ 9.1V
• 反向电压Vr：350 Ohms
• 正向电压Vr：12V
• 正向电流If：1.3W
• 波长：175℃
• 钳位电压Vc：
• 反向工作电压Vrwm：
• 工作温度：