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BZT55B75-GS08

封装/外壳:SOD-80 齐纳电压Vz:75V 齐纳阻抗Zzt:250 Ohms 容差:±2% 功率:500mW

  • 齐纳电压Vz:
  • 封装/外壳:SOD-80
  • 反向击穿电压Vbr:±2%
  • 功率:100nA @ 56V
  • 反向电压Vr:250 Ohms
  • 正向电压Vr:75V
  • 正向电流If:500mW
  • 波长:-65℃~175℃
  • 钳位电压Vc:
  • 反向工作电压Vrwm:
  • 工作温度:
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