封装/外壳：DO-219AB 反向漏电流Ir：1uA @ 150V 齐纳阻抗Zzt：200 Ohms 齐纳电压Vz：200V 功率：800mW

• 齐纳电压Vz：
• 封装/外壳：DO-219AB
• 反向击穿电压Vbr：-
• 功率：1uA @ 150V
• 反向电压Vr：200 Ohms
• 正向电压Vr：200V
• 正向电流If：800mW
• 波长：-65℃~175℃
• 钳位电压Vc：
• 反向工作电压Vrwm：
• 工作温度：